jinhak

내용 요약

• 반도체의 성능 향상에 방해가 되는 요인을 찾아보다 short channel effect에 대해 알게 되었고 이 효과가 반도체 발전함에 따라 얼마나 영향력이 커지는지 대략적으로 수치화해보고자 함

• Short channel effect(SCE)에 대해 개념적으로 이해할 수 있는 쉬운 자료들을 찾아보고 앞서 알아본 양자터널현상이 SCE중 하나인 GIDL임을 알게 되고, 그 외에 다른 SCE인 punch through 현상(전원을 껐는데도 전류가 누설되어 완전히 꺼지지 않는 현상)에 대해 탐구하기로 결정함

• MOSFET(일종의 트랜지스터) 채널 길이에 따른 누설전류 그래프를 검색하여 찾고 값 두개를 대입해 지수함수와 로그로 그래프 식 추정

• MOSFET 채널 길이가 각각 1nm, 1μm일 때의 도함수 값을 비교하여 과거와 현재의 SCE 영향력을 비교함

• 후속 연구로 이번에 추정해낸 SCE에 의한 누설전류와 채널 길이 관계식을 이용하여 SCE에 대한 해결책 중 하나인 LDD에 대한 문항을 제작함

탐구 보고서 전문

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이용재 멘토

고려대(서울) 전기전자공학부 24학번

트랜지스터 제작을 위한 LDD 도핑 농도 상대량 계산 문항 제작

실제 탐구보고서

물리학Ⅱ

자율활동

반도체 집적도 향상의 장애물과 발전 방향 탐구

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의·치·한·약·수·S·K·Y학생부종합전형 합격자들의탐구보고서

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