DRAM과 커패시터 탐구 및 대안으로서의 3차원 적층패키징 구조
- 자료 유형
- 실제 탐구보고서
- 합격 정보
- 서울대 원자핵공
- 활동 유형
- 세부능력 및 특기사항
- 교과 과목
- 물리학Ⅰ, 물리학Ⅱ, 고급물리학
- 탐구 키워드
- 배터리, 현대역학 (양자, 상대성이론)
2023-07-11
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내용 요약
물리학 II 교과 시간 ‘전류에 의한 자기장’을 학습하고 자기장에서의 쿨롬법칙 역할을 하는 Biot-Savart 법칙을 심화탐구하기로 함
‘DRAM과 커패시터’를 주제로 발표를 구성하여 커패시터 내 전기장과 전위차의 공식을 유도하고 전기용량과 극판의 면적, 거리와의 관계를 설명함
집적도 상승과 원가절감을 근거로 DRAM 미세화의 중요성을 이야기하고, 그 물리적 한계에 대해 양자터널링 효과를 활용하여 설명함
물리적 한계의 대안으로 미세화 없이 집적도를 높일 수 있는 WLP 공정 중 TSV 방식을 적용한 3차원 적층패키징 구조와 공정과정을 설명함
탐구 보고서 전문
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