실리콘 기판에 산화막을 만들 때의 유속 변화
- 자료 유형
- 실제 탐구보고서
- 합격 정보
- 서울대 첨단융합학부
- 활동 유형
- 세부능력 및 특기사항
- 교과 과목
- 수학, 물리학Ⅰ, 화학Ⅱ
- 탐구 키워드
- 반도체(소자)
2026-06-11
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내용 요약
실리콘 위 산화막 형성 과정에서 산화종이 표면에 용해되는 양만 내부로 확산됨을 정리함
산화종 유속을 확산 방정식 형태로 두고, 유입량과 반응량이 같다는 가정 하에 표면 반응 속도 상수 k와 확산 계수 D를 포함하는 관계식을 세움
유속식을 산화막 두께 x의 시간 변화율 dx/dt로 변환하고, 적분을 통해 시간 t에 대한 두께 함수 x(t)를 도출함
t 범위에 따라 산화막 성장이 초기에는 선형(선형성장률 상수 A/B)으로, 충분히 두꺼워지면 포물선(포물선성장률 상수 B) 형태로 전이됨을 결론냄
산화 공정을 반도체 8대 공정 맥락에서 해석하며, 공정이 높은 정밀도와 복잡한 계산을 요구함을 연결함
탐구 보고서 전문
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